TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS **Manufacturer:** TOSHIBA  

**Part Number:** TC55V8128BFT-12  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization:** 128K x 8-bit (1Mbit)  
- **Operating Voltage:** 5V  
- **Access Time:** 12ns  
- **Package Type:** Plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Pin Count:** 32 pins  

### **Descriptions:**  
- The TC55V8128BFT-12 is a high-speed CMOS static RAM with a 128K x 8-bit configuration.  
- It is designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- The device is compatible with TTL levels and operates at a single 5V power supply.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 12ns access time for fast data retrieval.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **TTL Compatibility:** Direct interface with TTL logic levels.  
- **Wide Operating Voltage:** Stable operation at 5V ±10%.  
- **Reliable Packaging:** 32-pin SOP for compact and robust integration.  

This information is based on TOSHIBA's official documentation for the TC55V8128BFT-12 SRAM.

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS The **TC55V8128BFT-12** is a **64M (8M x 8-bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Toshiba**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 8M words × 8 bits  
- **Density:** 64M (67,108,864 bits)  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 12ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 (64ms refresh interval)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 (programmable).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low-power CMOS design.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 12ns clock cycle time (83MHz operation).  
- **Four-Bank Architecture:** Enables concurrent operations.  
- **LVTTL-Compatible I/O:** Supports standard interface levels.  
- **Write Mask Control:** Byte-wise write operations.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with JEDEC standards.  

This SDRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, computing, and embedded systems.  

(Source: Toshiba datasheet for TC55V8128BFT-12)