MOSFETs The SUR50N024-06P is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** VISHAY  
### **Part Number:** SUR50N024-06P  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 24 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (min) – 2.5 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-263 (D²PAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for power management applications  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SUR50N024-06P.