N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N10-10 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUB85N10-10  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The SUB85N10-10 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power switching applications in automotive, industrial, and power supply systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (85A continuous, 340A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-power applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.