N-CHANNEL 500V The STY34NB50F is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 34A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 136A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STY34NB50F is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion systems, motor control, and industrial applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard drive circuits.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.