N-CHANNEL 800V 1.3 OHM 6.7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET The STW8NC80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW8NC80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced reliability in harsh conditions  
- **Improved dv/dt Capability:** Robust against voltage transients  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.