### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ V  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 480A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8 mΩ (at VGS = 10V)  
- **RDS(ON) (Max):** 2.2 mΩ (at VGS = 4.5V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 7500 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1100 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50 pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The **STW81102AT** is a high-performance N-channel Power MOSFET utilizing STMicroelectronics' **MDmesh™ V** technology. It is designed for high-efficiency power conversion applications, offering low on-state resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 120A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Enhanced Thermal Performance:** TO-247 package ensures efficient heat dissipation.  
- **Avalanche-Rugged:** High energy capability for robustness in demanding conditions.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Ideal for SMPS, DC-DC converters, and motor control.  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), motor drives, and industrial applications** requiring high power efficiency and reliability.