N-CHANNEL 800V The STW7NB80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 28A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The STW7NB80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package**  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.