N-channel 600 V, 0.075 Ohm typ., 35 A FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package The **STW43NM60ND** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 43mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW43NM60ND is a **N-channel power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge for improved switching efficiency**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Low thermal resistance**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is optimized for **high-power applications** requiring reliability and performance.  

Would you like additional details on any specific parameter?