N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, TO-247 STripFET(TM) Power MOSFET The STW30NF20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW30NF20 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Avalanche-Rugged:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance.  
- **MDmesh™ Technology:** Improves efficiency and reduces power losses.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.