N-CHANNEL 600V 0.155 OHM 27A TO-247 Zener-Protected SuperMesh MOSFET The STW28NK60Z is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 280pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STW28NK60Z is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ series, which provides low on-resistance and high switching performance. The device is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

### **Features:**
- **Advanced MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness under extreme conditions.  
- **TO-247 Package:** Offers good thermal performance and mechanical strength.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.