N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) TO-247 The STW23NM60ND is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.095Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STW23NM60ND is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and reduced switching losses.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching performance  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for robust performance  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Optimized for high-frequency applications**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.