N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 The STW22NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 170W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW22NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for applications like power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High dv/dt Capability:** Ensures robustness in switching applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-frequency switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.