N-CHANNEL 800V 0.34 OHM 18A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STW18NK80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (typ.) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ.)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ.)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ.)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ.)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ.)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ.)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW18NK80Z is an N-channel power MOSFET based on ST’s MDmesh™ II technology, optimized for high-voltage applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **High Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche-Rugged Technology**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-247 Package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.