N-CHANNEL 900V 0.72 OHM 11A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The **STW12NK90Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **STW12NK90Z** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It utilizes ST's **MDmesh™ II** technology, which provides low on-resistance and high switching performance. This MOSFET is suitable for applications such as **switched-mode power supplies (SMPS), inverters, motor drives, and industrial power systems**.

### **Features:**  
- **High voltage capability (900V)**  
- **Low gate charge (Q_g)** for reduced switching losses  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for improved efficiency  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-247 package for high-power applications**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.