N-CHANNEL 600V 0.48 OHM 12A TO-247 POWERMESH II MOSFET The STW12NC60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW12NC60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured robustness  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.