N-CHANNEL 500V The STP9NB50 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  

### **Description:**  
The STP9NB50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is built using STMicroelectronics’ advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses  
- **TO-220 Package:** Suitable for high-power applications  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications.