N-CHANNEL 800V The STP8NK80Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP8NK80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching and reduced power losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche-Rugged Design:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures consistent performance under high-energy conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STP8NK80Z.