N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STP6NB50** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **STP6NB50** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge (18nC typ)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance (0.85Ω max)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package**  

This MOSFET is commonly used in power conversion circuits, inverters, and industrial applications requiring high-voltage switching.