OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP6NA60FI is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-220FP (Insulated)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Insulated Package:** Provides electrical isolation for improved thermal management.  
- **Zener-Protected Gate:** Offers additional protection against voltage spikes.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.