N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package The STP6N120K3 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP6N120K3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1200V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage switching applications.