N The STP4NC60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
- The STP4NC60 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is built using STMicroelectronics' advanced PowerMESH™ technology, ensuring low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and lighting.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.