N-CHANNEL 200V The STP4N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP4N20 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed operation  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under inductive loads  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.