N The STP20NE10 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STP20NE10 is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-state resistance and high current capability, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- 100% avalanche tested  

### **Package:**  
TO-220 (Through-Hole)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or testing conditions, refer to STMicroelectronics' official documentation.