OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP20N06 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 70W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP20N06 is a rugged N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220 package for easy mounting  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-power switching applications.