N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220 The **STP12N65M5** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Charge (Q_g):** 30 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP12N65M5** is a high-voltage MOSFET designed for efficient switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**
- **SuperMESH5™ Technology** for reduced conduction losses  
- **100% avalanche tested** for ruggedness  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low intrinsic capacitances** for improved efficiency  
- **High dv/dt capability** for robustness  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The device is available in a **TO-220** package.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)