N-channel 650V The STP10NM65N is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STP10NM65N is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for efficient power conversion in various electronic systems.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (650V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.