OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP10NA40 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP10NA40 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (0.65Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.