30 A The STGW30NC60W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 30A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical at I_C = 30A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The STGW30NC60W is a high-speed IGBT designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- The device features a rugged design with built-in fast recovery anti-parallel diode for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous collector current.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Diode:** Integrated freewheeling diode for inductive load protection.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.