N-CHANNEL 7A The STGB7NC60HD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 7A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical) @ I_C = 7A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The STGB7NC60HD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It is housed in a TO-263 (D²PAK) package, which provides efficient thermal performance.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 7A at room temperature.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation in high-temperature environments.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching efficiency and reduces reverse recovery losses.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STGB7NC60HD.