N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package The STF10N62K3 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 620V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.62Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 28nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF10N62K3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (620V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance for reduced conduction losses**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-220FP package for better thermal performance**  

This information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet for the STF10N62K3.