N-channel 40 V, 5.0 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) III Power MOSFET The **STD95N4F3** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 95A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 2.5 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ) at V_DS = 20V, I_D = 47A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **PowerFLAT 5x6 (H²PAK-8)**  

### **Description:**  
The **STD95N4F3** is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **high switching efficiency**, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (95A continuous)  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet for the STD95N4F3.