N-channel 55 V, 0.012 Ohm, 60 A DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET The **STD60NF55LAT4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 5.5 mΩ @ V_GS = 10V  
  - 6.5 mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability in avalanche mode.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Suitable for DC-DC converters and motor control.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.