N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package The STD60N55F3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STD60N55F3 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications requiring low on-resistance and high current handling. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (60A continuous, 240A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability for ruggedness  
- 100% avalanche tested for reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD60N55F3. For detailed application-specific considerations, refer to the official documentation.