N-CHANNEL 600V The STD5NK60Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD5NK60Z is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power conversion circuits, such as switch-mode power supplies (SMPS), motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole mounting for easy assembly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.