N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package The STD3N62K3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 620V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** 620V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low Input Capacitance:** Helps reduce switching losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.