N-CHANNEL 600V The STD1NK60 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 8pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD1NK60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for low gate charge and high-speed switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching and reduced power losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or usage guidance.