N-CHANNEL 700V 7.3 OHM 1.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET The STD1NC70Z-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 700V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD1NC70Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 700V V_DSS  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions  
- **TO-252 Package:** Compact and suitable for surface-mount applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.