N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET The **STD10NM65N** is a **N-channel 650 V, 0.65 Ω typ., 10 A MDmesh™ II Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (typical)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **MDmesh™ II Technology:** Optimized for high efficiency and reduced switching losses.  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Improves robustness against voltage spikes.  

### **Applications:**  
- **Switched-Mode Power Supplies (SMPS)**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Lighting Systems**  
- **Industrial and Consumer Electronics**  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency power conversion applications.