N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package The STD100N3LF3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 2.2mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.2V (min) - 2.2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD100N3LF3 is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features ultra-low on-resistance and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management in automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 4.5V gate-source voltage.  

For exact details, refer to the official STMicroelectronics datasheet.