N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET The STB30NF20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST原厂). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Package:**
- **TO-263 (D²PAK)** (3-pin package with exposed pad for heat dissipation)  

### **Descriptions:**
- The STB30NF20 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Logic-Level Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET The STB30NF20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB30NF20 is a high-voltage, high-current N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET The STB30NF20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STB30NF20 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET