N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package The STB28NM50N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB28NM50N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in switching applications.  
- **TO-263 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.