N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in D2PAK package The STB21NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 170W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The STB21NM60ND is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low conduction losses and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications  
- **100% avalanche tested** for robustness  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STB21NM60ND. For detailed application notes and testing conditions, refer to the official documentation.