N-channel 600V The STB20NM60D is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB20NM60D is an N-channel Power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ technology, optimized for high-efficiency switching applications. It is designed for use in power supplies, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Low on-resistance and high switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** High energy capability for reliable operation.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from STMicroelectronics' official documentation.