N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A low gate charge STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package The **STB18NF25** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Description:**  
The **STB18NF25** is an **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of STMicroelectronics' **STripFET™ II** series, optimized for low on-resistance and high-speed performance.

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)** (3-pin surface-mount package)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **STB18NF25** MOSFET.