N-CHANNEL 250V The STB16NS25 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB16NS25 is designed for high-efficiency power switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for reliability.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.