N-CHANNEL 30V The STB160NF3LLT4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) - 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The STB160NF3LLT4 is a low-voltage, high-current N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management applications.

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 160A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is available in a **TO-263 (D2PAK)** package.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)