N-channel 75 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package The STB160N75F3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STB160N75F3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 1.6mΩ at V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.1mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 220nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 11500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 500pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB160N75F3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-power applications. It utilizes ST's MDmesh™ III technology, which provides low on-resistance and high switching efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 160A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in demanding environments.  

This information is based on the manufacturer’s datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official STMicroelectronics documentation.