N-CHANNEL 800V 0.65 OHM 10.5A TO-220/D2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STB12NK80Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB12NK80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for improved efficiency  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.