N-CHANNEL 600V The STB11NM60 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB11NM60 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is built using STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Ensures low conduction losses and high switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** High energy capability for reliable operation in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses and improves efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official STMicroelectronics documentation.