600V N-Channel MOSFET FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 1.0A, 600V, R = 12Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to• Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching• 100% avalanche testedperformance, and withstand high energy pulse in the• Improved dv/dt capabilityavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switch mode power supplies.DG TO-220 TO-220FG D SG DSSSP Series SSS SeriesSAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSP1N60B SSS1N60B UnitsV Drain-Source Voltage 600 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 1.0 1.0 * AD C- Continuous (T = 100°C)0.6 0.6 * ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 3.0 3.0 * ADMVGate-Source Voltage ± 30 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 50 mJASIAvalanche Current (Note 1) 1.0 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 3.4 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsP Power Dissipation (T = 25°C)34 17 WD C- Derate above 25°C 0.27 0.13 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ STGMaximum lead temperature for soldering purposes,T300 °CL1/8" from case for 5 seconds* Drain current limited by maximum junction temperature.Thermal Characteristics Symbol Parameter SSP1N60B SSS1N60B UnitsRThermal Resistance, Junction-to-Case Max. 3.67 7.48 °C/WθJCRThermal Resistance, Case-to-Sink Typ. 0.5 -- °C/WθCSRThermal Resistance, Junction-to-Ambient Max. 62.5 62.5 °C/WθJA2001 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, November 2001SSP1N60B/SSS1N60B